太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法 (GB/T 32281-2015) 国家标准《太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司、中铝宁夏能源集团有限公司、宁夏银星多晶硅有限责任公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、新特能源股份有限公司。
起草人：薛抗美 、夏根平 、肖宗杰 、盛之林 、范占军 、蒋建国 、林清香 、徐自亮 、王泽林 、宋高杰 、刘国霞 。
此标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱（SIMS）检测方法。 此标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0．2％（即＜1*10^20 atoms/cm^3），检测下限分别为氧含量5*10^16 atoms/cm^3、碳含量1*10^16 atoms/cm^3、硼含量1*10^14 atoms/cm^3和 磷含量2*10^14 atoms/cm^3 四种元素体含量的测定可使用配有一次离子源的SIMS仪器一次完成。