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GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

标准号
GB/T 26070-2010
下载格式
PDF
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
标准类别
国家标准
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简介

化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 (GB/T 26070-2010) 国家标准《化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位:中国科学院半导体研究所。

起草人:陈涌海 、赵有文 、提刘旺 、王元立 。

1.1此标准规定了Ⅲ—Y族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。1.2此标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

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