GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 (GB/T 26066-2010) 国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司。

起草人：田素霞 、张静雯 、王文卫 、周涛 。

此标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。此标准适用于检测或晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于O．OOlΩ?cm。