硅片局部平整度非接触式标准测试方法 (GB/T 19922-2005) 国家标准《硅片局部平整度非接触式标准测试方法》由339-1(工业和信息化部(电子))归口上报及执行,主管部门为工业和信息化部(电子)。
起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司。
此标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。此标准适用非接触、非破坏性地测量干燥、净洁的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100 mm及以上、厚度250μm及以上的腐蚀、抛光及外延硅片。
硅片局部平整度非接触式标准测试方法 (GB/T 19922-2005) 国家标准《硅片局部平整度非接触式标准测试方法》由339-1(工业和信息化部(电子))归口上报及执行,主管部门为工业和信息化部(电子)。
起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司。
此标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。此标准适用非接触、非破坏性地测量干燥、净洁的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100 mm及以上、厚度250μm及以上的腐蚀、抛光及外延硅片。
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