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GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

标准号
GB/T 17170-1997
下载格式
PDF
发布日期
1997-12-22
实施日期
1998-08-01
标准类别
国家标准
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简介

非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 (GB/T 17170-1997) 国家标准《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。已被标准 GB/T 17170-2015(全部代替)

起草单位:电子工业部第四十六研究所。

此标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。此标准适用于电阻率大于10Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。此标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。

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